蔵書情報
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書誌情報サマリ
| 書名 |
初歩から学ぶ半導体工学
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| 著者名 |
原 明人／著
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| 出版者 |
講談社
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| 出版年月 |
2022.11 |
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
| No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
帯出区分 |
状態 |
| 1 |
県立館内 | 305581092 | 549.8/ﾊｱ22Y/ | 自然公開 | 持ち出し可 | 利用可 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| タイトルコード |
1001120152609 |
| 書名 |
初歩から学ぶ半導体工学 |
| 著者名 |
原 明人／著
|
| 出版者 |
講談社
|
| 出版年月 |
2022.11 |
| ページ数 |
8,295p |
| 大きさ |
26cm |
| ISBN（10桁） |
4-06-528292-2 |
| ISBN（13桁） |
978-4-06-528292-2 |
| 分類記号 |
549.8
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| 書名ヨミ |
ショホ カラ マナブ ハンドウタイ コウガク |
| 内容紹介 |
工学系学部学生に向けて、半導体工学の基礎を解説。量子力学の基礎からバンド理論、pn接合、MOS構造、界面の量子化までを取り上げ、図版を豊富に用い、順を追ってていねいに解説する。章末問題も収録。 |
| 著者紹介 |
東北大学理学研究科物理学専攻前期博士課程修了。博士(理学)同大学。東北学院大学工学部電気電子工学科教授。 |
| 参考文献 年表 |
文献:p273～275 |
| 件名 |
半導体
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| 言語区分 |
日本語 |
| 目次 |
第2章 水素原子から物質へ |
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第3章 バンド理論 |
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第4章 半導体のバンド構造 |
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第5章 不純物半導体 |
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第6章 格子振動 |
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第7章 キャリアの輸送現象 |
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第8章 光学的性質 |
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第9章 pn接合 |
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第10章 MOS構造 |
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第11章 MOS電界効果トランジスタ |
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第12章 集積回路 |
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第13章 界面の量子化 |
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1.1 波の表現 1.2 位相速度と群速度 1.3 物質波としての電子 1.4 不確定性原理 1.5 シュレーディンガー方程式と波動関数 1.6 1次元の井戸型ポテンシャル 1.7 スピンとパウリの排他原理 1.8 3次元の井戸型ポテンシャル 1.9 トンネル効果 1.10 時間に依存しない摂動論 1.11 時間に依存する摂動論 |
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2.1 水素原子 2.2 水素分子 2.3 s軌道あるいはp軌道からなる物質 |
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3.1 結晶の周期性と結晶構造 3.2 金属自由電子論 3.3 ブロッホの定理 3.4 1次元空格子の電子構造 3.5 1次元結晶格子のバンドギャップ 3.6 2次元および3次元格子のバンドギャップ 3.7 1次元の強結合近似 3.8 2次元の強結合近似 |
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4.1 強結合近似のバンド構造 4.2 k・p摂動(1):バンド端の詳細構造 4.3 k・p摂動(2):面心立方格子の空格子に基づく計算 4.4 有効質量と運動方程式 4.5 正孔 4.6 真性半導体のキャリア密度の温度依存性 |
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5.1 ドナーとアクセプター 5.2 浅い準位を有する不純物中心の有効質量近似 5.3 ドナー不純物に束縛された電子の空間分布 5.4 不純物半導体におけるキャリア密度の温度依存性 |
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6.1 格子振動とは 6.2 1次元単原子格子 6.3 1次元2原子格子 6.4 3次元の格子振動 6.5 フォノン 6.6 格子比熱 |
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7.1 オームの法則 7.2 ホール効果 7.3 移動度の温度依存性 7.4 ボルツマン方程式 7.5 散乱プロセスの計算 7.6 緩和時間の計算 |
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8.1 物質中の電磁波 8.2 バンド間遷移 8.3 ドナーに束縛された電子の光励起 |
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9.1 pn接合の形成方法 9.2 拡散電流 9.3 pn接合近傍で生じる現象 9.4 pn接合の熱平衡状態におけるバンド図 9.5 連続の式 9.6 順方向電流 9.7 逆方向電流 9.8 接合容量 9.9 pn接合におけるトンネル効果 |
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10.1 MOS構造とは 10.2 蓄積層・空乏層・反転層における電場分布およびポテンシャル分布 10.3 Si表面の電子 10.4 理想MOSの容量 10.5 理想MOSでない場合 |
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11.1 MOS電界効果トランジスタの構造 11.2 MOS電界効果トランジスタの動作原理(1):線形領域 11.3 MOS電界効果トランジスタの動作原理(2):一般的な電流-電圧特性 11.4 MOS電界効果トランジスタの動作原理(3):飽和領域 11.5 移動度 11.6 閾値電圧 11.7 サブスレッショルド・スロープ 11.8 基板バイアス効果 |
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12.1 CMOSインバータの構造 12.2 CMOSインバータにおけるpチャネル型MOSFETの動作原理 12.3 CMOSインバータにおけるpチャネル型MOSFETの動作原理の数式を用いた考察 12.4 CMOSインバータの動作原理の数式を用いた考察 12.5 CMOSインバータのスイッチング特性 12.6 スケーリング |
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13.1 Si‐MOS反転層電子の量子化 13.2 擬2次元電子系の電子状態 13.3 Si‐MOS反転層の電子状態 13.4 磁場下における2次元電子系とエッジ状態 13.5 ヘテロ接合 |
目次
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